4億
+研發(fā)投入/營(yíng)收
原子層沉積 (ALD)技術(shù):
具有:
三維共形性,廣泛適用于不同形狀的基底
大面積成膜的均勻性,且致密、無(wú)針孔
可實(shí)現(xiàn)亞納米級(jí)的薄膜厚度控制
精確控制納米疊層和原子摻雜比例
視頻播放
研發(fā)創(chuàng)新
4億
+研發(fā)投入/營(yíng)收
56200
㎡生產(chǎn)研發(fā)基地
3000
+專有技術(shù)(項(xiàng))
27%
+研發(fā)人員占比
核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)
專業(yè)團(tuán)隊(duì)
工藝開發(fā)
專精ALD廠商
專業(yè)ALD
專業(yè)解決方案
國(guó)內(nèi)領(lǐng)先前瞻應(yīng)用定制化
前瞻應(yīng)用
定制開發(fā)
國(guó)內(nèi)唯一全場(chǎng)景Demo設(shè)備線
全場(chǎng)景Demo
量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)
智造創(chuàng)新
半導(dǎo)體設(shè)備規(guī)劃產(chǎn)能
光伏設(shè)備規(guī)劃產(chǎn)能
服務(wù)創(chuàng)新